在常壓下蒸鍍膜料無法形成理想的薄膜，事實上，如在壓力不夠低 ( 或者說真空度不夠高 ) 的情況下同樣得不到好的結果， 比如在10 2托數量級下蒸鍍鋁，得到的膜層不但不光亮，甚至發灰、發黑，而且機械強度極差，用松鼠毛刷輕輕一刷即可將鋁層破壞。

蒸鍍必須在一定的真空條件下進行，這是因為：

（1）較高的真空度可以保證汽化分子的平均自由程大于蒸發源到基底的距離。

由于氣體分子的熱運動，分子之間的碰撞也是極其頻繁的，所以盡管氣體分子運動的速度相當的高 ( 可達每秒幾百米 ) ，但是由于它在前進的過程中要與其它分子多次碰撞， 一個分子在兩次連續碰撞之間所走的距離被稱為它的自由程， 而大量分子自由程的統計平均值就被稱為分子的平均自由程。

由于氣體壓強與單位體積的分子數成正比， 因此平均自由程與氣體的壓強亦成正比。

在真空淀積薄膜過程中，當淀積距離大于分子的平均自由程時被稱為哈爾濱低真空淀積， 而當淀積距離小于分子的平均自由程時被稱為高真空淀積。在高真空淀積時，蒸發原子 ( 或分子 ) 與殘余氣體分子間的碰撞可以忽略不計，因此汽化原子是沿直線飛向基片的，這樣保持較大動能到達基片的汽化原子即可以在基片上凝結成較牢固的膜層。在哈爾濱低真空淀積時，由于碰撞的結果會使汽化原子的速度和方向都發生變化，甚至可能在空間生成蒸汽原子集合體—其道理與水蒸汽在大氣中生成霧相似。

（2）在較高的真空度下可以減少殘余氣體的污染在真空度不太高的情況下， 真空室內含有眾多的殘余氣體分子( 氧、氮、水及碳氫化合物等 ) ，它們能給薄膜的鍍制帶來極大的危害。它們與汽化的膜料分子碰撞使平均自由程變短；它們與正在成膜的表面碰撞并與之反應；它們隱藏在已形成的薄膜中逐漸侵蝕薄膜；它們與蒸發源高溫化合減少其使用壽命；它們在已蒸發的膜料表面上形成氧化層使蒸鍍過程不能順利進行……。